型号: SI4982DY-E3
功能描述:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 100 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 2.6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 150 mOhms
配置: Dual
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Tube
下降时间: 10 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2 W
上升时间: 10 ns
典型关闭延迟时间: 30 ns
联系人：马小姐
电话：13922854643
Q Q:
联系人：张小姐
电话：18688969163
Q Q:
联系人：徐小姐
电话：13631670223
Q Q:
联系人：祝小姐
电话：13612861520
Q Q:
联系人：李
电话：13632880560
Q Q:
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：刘先生
电话：18390902447
Q Q:
联系人：周先生
电话：13266507502
Q Q:
联系人：吴雅文
电话：18588438045
Q Q:
联系人：钱先生，吴小姐，张先生，朱先生
电话：17788723678
Q Q:
