型号: SI5402DC-T3
功能描述: MOSFET 30V 6.7A 2.5W 35mohm @ 10V
制造商: Vishay / Siliconix
产品种类： MOSFET
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 30 V
闸/源击穿电压： +/- 20 V
漏极连续电流： 6.7 A
导通电阻： 35 mOhms
配置： Single
最大工作温度： + 150 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： 1206-8 ChipFET
封装： Reel
商标： Vishay / Siliconix
下降时间： 10 ns
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 2.5 W
上升时间： 10 ns
工厂包装数量： 10000
商标名： TrenchFET
典型关闭延迟时间： 25 ns
ROHS： 含铅
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