型号:  SI6913DQ-T1-GE3

功能描述:  MOSFET -12V Vds 8V Vgs TSSOP-8

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TSSOP-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  12 V

Id-连续漏极电流:  5.8 A

Rds On-漏源导通电阻:  21 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  400 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  28 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.14 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  TrenchFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  SI6

晶体管类型:  2 P-Channel

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  25 S

下降时间:  80 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  80 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  130 ns

典型接通延迟时间:  45 ns

零件号别名:  SI6913DQ-GE3

单位重量:  158 mg