型号: SI6975DQ-T1-GE3
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 阵列
系列: TrenchFET®
包装: 带卷(TR)
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 4.3A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 27 毫欧 @ 5.1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 450mV @ 5mA(最小)
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 30nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): -
功率 - 最大值: 830mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装: 8-TSSOP
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