型号: SI6993DQ-T1
功能描述: MOSFET
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 3.6 A
Vds-漏源极击穿电压: - 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 31 mOhms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 830 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSSOP-8
封装: Reel
商标: Vishay / Siliconix
通道模式: Enhancement
配置: Dual
下降时间: 14 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 14 ns
商标名: TrenchFET
典型关闭延迟时间: 52 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：欧维明
电话：13810607781
Q Q:
联系人：白先生，彭女士
电话：13265789936
Q Q:
联系人：刘怡婷
电话：13322983924
Q Q:
