型号:  SI7456DP-TI-GE3

功能描述:   MOSFET, N, SO-8

制造商:  VISHAY SILICONIX

晶体管极性：  :N Channel

Continuous Drain Current Id：  :5.7A

Drain Source Voltage Vds：  :100V

On Resistance Rds(on)：  :0.021ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：  :10V

Threshold Voltage Vgs：  :4V

功耗：  :1.9W

Operating Temperature Min：  :-55°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :PowerPAK SO

No. of Pins：  :8

MSL：  :-

Current Temperature：  :25°C

Device Marking：  :SI7456DP

外部深度：  :5.26mm

External Length / Height：  :1.2mm

外宽：  :6.2mm

Full Power Rating Temperature：  :25°C

Junction Temperature Tj Max：  :150°C

Junction Temperature Tj Min：  :-55°C

Junction to Case Thermal Resistance A：  :1.8°C/W

N-channel Gate Charge：  :44nC

Pulse Current Idm：  :40A

Weight (kg)：  0.0005

Tariff No.：  85412900