型号: SI7464DP-T1-E3
功能描述:
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 1.8A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 6V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 18nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 240 毫欧 @ 2.8A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PowerPAK® SO-8
封装形式Package： SOIC-8
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 200V
连续漏极电流ID： 1.8A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 240mOhms
无铅情况/RoHs： 否
联系人：Alien
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：林浦
电话：13925272696
Q Q:
联系人：王小飞
电话：18768342458
Q Q:
联系人：陈安定
电话：18101718660
Q Q:
