型号: SI7478DP-T1
功能描述: MOS(场效应管)
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 80A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 6mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 136W(Tc)
类型: N沟道
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