型号: SI7485DP-T1-E3
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchFET®
包装： 剪切带（CT）
FET 类型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 12.5A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 7.3 毫欧 @ 20A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 900mV @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 150nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： -
功率 - 最大值： 1.8W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PowerPAK® SO-8
供应商器件封装： PowerPAK® SO-8
其它名称： SI7485DP-T1-E3CT
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：韩小姐
电话：13715217880
Q Q:
联系人：杨华
电话：13360063621
Q Q:
联系人：周
电话：13539687799
Q Q:
