型号: SI7658DP-T1-E3
功能描述:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 37 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 2.4 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK SO-8
封装: Reel
下降时间: 9 ns, 65 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 6.25 W
上升时间: 14 ns, 230 ns
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 57 ns, 75 ns
零件号别名: SI7658DP-E3
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：朱仕海
电话：18023203040
Q Q:
联系人：欧阳莹
电话：13510131896
Q Q:
联系人：刘怡婷
电话：13322983924
Q Q:
