SI7682DP-T1-E3规格参数_SI7682DP-T1-E3全国代理商/分销商

型号: SI7682DP-T1-E3
功能描述: Single N-Channel 30 V 0.009 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 20A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 38nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1595pF @ 15V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 5W（Ta），27.5W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 9 毫欧 @ 20A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳： PowerPAK® SO-8
封装形式Package： PowerPAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 30V
连续漏极电流ID： 17.5A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs