型号: SI7758DP-T1-GE3
功能描述: N Chan, 30V, 60A, 2.9 mOhms @ 10V, PowerPAK® SO-8
制造商: Vishay
系列: SkyFET®,TrenchFET®
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 60A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 2.7V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 160nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 7150pF @ 15V
Vgs(最大值): ±20V
功率耗散(最大值): 6.25W(Ta),104W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 2.9 毫欧 @ 20A,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK® SO-8
封装形式Package: SOIC-8
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 30V
连续漏极电流ID: 34.6A
漏源极导通电阻RDS(ON): 2.9mOhms
无铅情况/RoHs: 否
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