型号: SI7810DN-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 3.4A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 6V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 17nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 62 毫欧 @ 5.4A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PowerPAK® 1212-8
封装形式Package： PowerPak1212-8
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 100V
连续漏极电流ID： 3.4A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 62mOhms
无铅情况/RoHs： 否
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13243798449
Q Q:
联系人：林先生
电话：13556844709
Q Q:
联系人：邹
电话：1372870918
Q Q:
