型号: SI7844DP-T1-GE3
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： TrenchFET®
包装： 剪切带（CT）
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 6.4A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 22 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： -
功率 - 最大值： 1.4W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装： PowerPAK® SO-8 Dual
其它名称： SI7844DP-T1-GE3CT
联系人：Alien
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13590379292
Q Q:
联系人：赵
Q Q:
联系人：冯作兵
电话：13600409525
Q Q:
