型号: SI7866ADP-T1GE3
功能描述: Trans MOSFET N-CH 20V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
制造商: vishay / semiconductor
包装： 8PowerPAK SO
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 20 V
最大连续漏极电流： 40 A
RDS -于： 2.4@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 34|18 ns
典型上升时间： 120|105 ns
典型关闭延迟时间： 42|49 ns
典型下降时间： 12|9 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Tape & Reel
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