型号: SI7892DP-T1
功能描述: Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R
制造商: vishay / semiconductor
包装: 8PowerPAK SO
通道模式: Enhancement
最大漏源电压: 30 V
最大连续漏极电流: 15 A
RDS -于: 4.5@10V mOhm
最大门源电压: ±20 V
典型导通延迟时间: 17 ns
典型上升时间: 10 ns
典型关闭延迟时间: 65 ns
典型下降时间: 35 ns
工作温度: -55 to 150 °C
安装: Surface Mount
标准包装: Tape & Reel
最大门源电压: ±20
欧盟RoHS指令: Not Compliant
最高工作温度: 150
最低工作温度: -55
渠道类型: N
封装: Tape and Reel
最大漏源电阻: 4.5@10V
最大漏源电压: 30
每个芯片的元件数: 1
供应商封装形式: PowerPAK SO
最大功率耗散: 1900
最大连续漏极电流: 15
引脚数: 8
铅形状: No Lead
单位包: 0
最小起订量: 1
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