型号: SI7962DP-T1-GE3
功能描述: MOSFET 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V
制造商: Vishay / Siliconix
产品种类： MOSFET
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 40 V
闸/源击穿电压： +/- 20 V
漏极连续电流： 7.1 A
导通电阻： 17 mOhms
配置： Dual
最大工作温度： + 150 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： PowerPAK SO-8
封装： Reel
商标： Vishay / Siliconix
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 1.4 W
工厂包装数量： 3000
零件号别名： SI7962DP-GE3
ROHS： 含铅
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