型号: SI7962DP-T1-GE3
功能描述: MOSFET 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V
制造商: Vishay / Siliconix
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 40 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 7.1 A
导通电阻: 17 mOhms
配置: Dual
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK SO-8
封装: Reel
商标: Vishay / Siliconix
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 1.4 W
工厂包装数量: 3000
零件号别名: SI7962DP-GE3
ROHS: 含铅
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:肖瑶,树平
电话:13926529829
联系人:傅小姐
电话:13310061703
联系人:陈晓玲
电话:18126117392
联系人:Alien
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:罗先生
电话:19854773352
联系人:蒋生
电话:13265547619
联系人:陈生
电话:13713818425
Q Q: