型号:  SI7997DP-T1-GE3

功能描述:  MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PowerPAK-SO-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  60 A

Rds On-漏源导通电阻:  5.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  106 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  46 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  TrenchFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.04 mm

长度:  6.15 mm

系列:  SI7

晶体管类型:  2 P-Channel

宽度:  5.15 mm

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  71 S

下降时间:  40 ns, 40 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  10 ns, 50 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  80 ns, 115 ns

典型接通延迟时间:  15 ns, 60 ns

零件号别名:  SI7997DP-GE3

单位重量:  506.600 mg