型号: SI8261BBD-C-IMR
功能描述:
制造商: SILICON LABS
技术： 容性耦合
通道数： 1
电压 - 隔离： 5000Vrms
共模瞬态抗扰度（最小值）： 35KV/µs
传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）： 60ns，50ns
脉宽失真（最大）： 28ns
上升/下降时间（典型值）： 5.5ns，8.5ns
电流 - 输出高，低： 500mA，1.2A
电流 - 峰值输出： 4A
电压 - 正向（Vf）（典型值）： 2.8V（最大）
电流 - DC 正向（If）： 30mA
电压 - 电源： 9.4 V ~ 30 V
工作温度： -40°C ~ 125°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-VELGA
供应商器件封装： 8-LGA（10x12.5）
认可： CQC，CSA，UR，VDE
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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