型号: SI8275GBD-IM1
功能描述: 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
制造商: Silicon Labs
包装:
系列: 汽车级，AEC-Q100
零件状态: 有源
技术: 容性耦合
通道数: 2
电压 - 隔离: 2500Vrms
共模瞬态抗扰度（最小值）: 200kV/µs
传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）: 75ns，75ns
脉宽失真（最大）: 8ns
上升/下降时间（典型值）: 10.5ns，13.3ns
电流 - 输出高，低: 1.8A，4A
电流 - 峰值输出: 4A
电压 - 正向（Vf）（典型值）: -
电流 - DC 正向（If）: -
电压 -输出供电: 4.2V ~ 30V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 14-VDFN
供应商器件封装: 14-QFN（5x5）
认可: CQC，CSA，UL，VDE
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