型号: SI8409DB-T1-E1
功能描述: Single P-Channel 30 V 46 mO 17 nC Surface Mount Power Mosfet - MICRO FOOT
制造商: Vishay
系列: TrenchFET®
FET类型: P 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 4.6A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 2.5V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 1.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 26nC @ 4.5V
Vgs(最大值): ±12V
功率耗散(最大值): 1.47W(Ta)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 46 毫欧 @ 1A,4.5V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 4-XFBGA,CSPBGA
封装形式Package: MicroFoot-4
极性Polarity: P-CH
漏源极击穿电压VDSS: 30V
连续漏极电流ID: 3.6A
漏源极导通电阻RDS(ON): 1.052Ohms
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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