型号: SI8419DB-T1-E1
功能描述:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: - 8 V
闸/源击穿电压: +/- 5 V
漏极连续电流: 7.8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.035 Ohms
配置: Single Dual Drain
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Micro Foot-4
封装: Reel
下降时间: 155 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2.77 W
上升时间: 25 ns
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 260 ns
零件号别名: SI8419DB-E1
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