型号: SI8422DB-T1-E1
功能描述:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 20 V
漏极连续电流: 7.3 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.035 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
下降时间: 75 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 12 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2.77 W
上升时间: 45 ns
典型关闭延迟时间: 145 ns
零件号别名: SI8422DB-E1
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