型号:  SI8429DB-T1-E1

功能描述:  Single P-Channel 8 V 35 mOhms Surface Mount Power Mosfet - MICRO-FOOT

制造商:  Vishay

系列：  TrenchFET®

FET类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  11.7A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  1.2V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  800mV @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  26nC @ 5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1640pF @ 4V

Vgs（最大值）：  ±5V

功率耗散（最大值）：  2.77W（Ta），6.25W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  35 毫欧 @ 1A，4.5V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  4-XFBGA，CSPBGA

封装形式Package：  MicroFoot-4

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  8V

连续漏极电流ID：  7.8A

漏源极导通电阻RDS(ON)：  43mOhms

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs