型号: SI8435DB-T1-E1
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型: P 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 35nC @ 5V
Vgs(最大值): ±5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 1600pF @ 10V
功率耗散(最大值): 2.78W(Ta),6.25W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 41 毫欧 @ 1A,4.5V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: 4-Microfoot
封装/外壳: 4-XFBGA,CSPBGA
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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