型号: SI8467DB-T2-E1
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型: P 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 21nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs: 10V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 475pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds: 10V
功率耗散（最大值）: 780mW（Ta），1.8W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 73 毫欧 @ 1A，4.5V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: 4-Microfoot
封装/外壳: 4-XFBGA，CSPBGA
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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