型号: SI8816EDB-T2-E1
功能描述: Si8816EDB Series N-Channel 30 V 0.109 Ohm Surface Mount Power Mosfet -MICRO FOOT
制造商: Vishay
系列: TrenchFET®
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 2.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 1.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 8nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 195pF @ 15V
Vgs(最大值): ±12V
功率耗散(最大值): 500mW(Ta)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 109 毫欧 @ 1A,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 4-XFBGA
封装形式Package: MicroFoot-4
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 30V
连续漏极电流ID: 2.3A
漏源极导通电阻RDS(ON): 109mOhms
栅源极阀值电压VGS(th): 0.6Vto1.4V
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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