型号:  SI8816EDB-T2-E1

功能描述:  Si8816EDB Series N-Channel 30 V 0.109 Ohm Surface Mount Power Mosfet -MICRO FOOT

制造商:  Vishay

系列：  TrenchFET®

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  2.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  1.4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  8nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  195pF @ 15V

Vgs（最大值）：  ±12V

功率耗散（最大值）：  500mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  109 毫欧 @ 1A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  4-XFBGA

封装形式Package：  MicroFoot-4

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  30V

连续漏极电流ID：  2.3A

漏源极导通电阻RDS(ON)：  109mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：  0.6Vto1.4V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs