型号: SI8901DB-T2-E1
功能描述:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 20 V
闸/源击穿电压: +/- 8 V
漏极连续电流: 3.5 A
配置: Dual Common Drain Dual Source
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Micro Foot-6
封装: Reel
下降时间: 27 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 1000 mW
上升时间: 27 ns
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 120 ns
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