SI9433BDY-T1-GE3规格参数_SI9433BDY-T1-GE3全国代理商/分销商

型号: SI9433BDY-T1-GE3
功能描述: Si9433BDY Series 20 V 6.2 A 0.040 Ohm Surface Mount P-Channel MOSFET - SO-8
制造商: Vishay
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 4.5A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 2.7V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 14nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±12V
功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 40 毫欧 @ 6.2A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装形式Package： SOIC-8
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 20V
连续漏极电流ID： 4.5A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 40mOhms
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs