型号: SI9529DY
功能描述: Dual N- and P-Channel 2.5-V (G-S) Rated MOSFET
制造商: Vishay
晶体管极性: N and P-Channel
汲极/源极击穿电压: 20 V, 12 V
闸/源击穿电压: +/- 8 V
漏极连续电流: +/- 6 A, +/- 5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.03 Ohms
配置: Dual Dual Drain
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
下降时间: 30 ns, 60 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2 W
上升时间: 70 ns, 40 ns
工厂包装数量: 100
典型关闭延迟时间: 70 ns, 100 ns
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