型号: SI9802DY
功能描述: Dual N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 20 V
闸/源击穿电压: +/- 12 V
漏极连续电流: 4.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 55 mOhms
配置: Dual
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
下降时间: 9 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2 W
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 100
典型关闭延迟时间: 23 ns
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：曾先生
电话：18002563597
Q Q:
联系人：王林
电话：15111275550
Q Q:
联系人：孙先生
电话：15724854179
Q Q:
