型号: SI9945AEY-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 60 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 3.7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 80 mOhms
配置: Dual
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Reel
下降时间: 8 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 11 S
栅极电荷 Qg: 20 nC
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2.4 W
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 21 ns
零件号别名: SI9945AEY-GE3
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