型号: SI9953DY-E3
功能描述: Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-Pin SOIC N
制造商: Vishay
最大门源电压： ±20
欧盟RoHS指令： Compliant
最高工作温度： 150
通道模式： Enhancement
标准包装名称： SOIC
包装高度： 1.55(Max)
安装： Surface Mount
最大功率耗散： 2000
渠道类型： P
最大漏源电阻： 250@10V
最低工作温度： -55
最大漏源电压： 20
每个芯片的元件数： 2
包装宽度： 4(Max)
供应商封装形式： SOIC N
包装长度： 5(Max)
PCB： 8
最大连续漏极电流： 2.3
引脚数： 8
铅形状： Gull-wing
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