型号:  SIA414DJ-T1-GE3

功能描述:  MOSFET 8.0V 12A 19W 11mohm @ 4.5V

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SC-70-6

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  8 V

Id-连续漏极电流:  12 A

Rds On-漏源导通电阻:  11 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  350 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  4.5 V

Qg-栅极电荷:  19 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  19 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  TrenchFET, PowerPAK

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  SIA

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  50 S

下降时间:  20 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  10 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  65 ns

典型接通延迟时间:  12 ns

零件号别名:  SIA414DJ-GE3

单位重量:  1 g