型号:  SIA427DJ-T1-GE3

功能描述:  Single P-Channel 8 V 0.013 Ohm 33 nC SMT Power Mosfet - PowerPAK® SC-70-6

制造商:  Vishay

系列：  TrenchFET®

FET类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  12A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  1.2V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  800mV @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  50nC @ 5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  2300pF @ 4V

Vgs（最大值）：  ±5V

功率耗散（最大值）：  3.5W（Ta），19W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  16 毫欧 @ 8.2A，4.5V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PowerPAK® SC-70-6

封装形式Package：  SC-70-6

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  8V

连续漏极电流ID：  12A

漏源极导通电阻RDS(ON)：  13mOhms

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs