型号: SIA444DJT
功能描述: MOS(场效应管)
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 6A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 23mΩ @ 5.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2.5W(Tc)
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨群
电话：13560721605
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：18689492468
Q Q:
联系人：陈少荣
Q Q:
