型号: SIA456DJ-T1-GE3/BKN
功能描述: Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
制造商: vishay / siliconix
包装： 6PowerPAK SC-70
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 200 V
最大连续漏极电流： 1.1 A
RDS -于： 1380@4.5V mOhm
最大门源电压： ±16 V
典型导通延迟时间： 10|5 ns
典型上升时间： 25|20 ns
典型关闭延迟时间： 30|16 ns
典型下降时间： 20|12 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Cut Tape
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