型号: SIA915DJ-T4-GE3
功能描述: MOSFET 2P-CH 30V SC70-6
制造商: Vishay Siliconix
包装: 标准卷带
系列: TrenchFET®
零件状态: 停產
FET 类型: 2 个 P 沟道（双）
FET 功能: 标准
漏源电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3.7A（Ta），4.5A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 87 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 275pF @ 15V
功率 - 最大值: 1.9W（Ta），6.5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: PowerPAK® SC-70-6 双
供应商器件封装: PowerPAK® SC-70-6 双
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