型号: SIDC23D120H8X1SA1
功能描述: DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
制造商: Infineon Technologies
包装: 散装
系列: -
零件状态: 有源
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值): 1200V
电流 - 平均整流(Io): 35A(DC)
不同 If 时的电压 - 正向(Vf: 1.97V @ 35A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同Vr 时的电流 - 反向漏电流: 27µA @ 1200V
不同Vr,F 时的电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 模具
供应商器件封装: 带箔切割晶片
工作温度 - 结: -40°C ~ 175°C
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