型号: SIDR668ADP-T1-RE3
功能描述: MOSFET N-CH 100V PPAK SO-8
制造商: Vishay Siliconix
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列: TrenchFET® Gen IV
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 23.3A（Ta），104A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 7.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 4.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 81nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 3750pF @ 50V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 6.25W（Ta），125W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerPAK® SO-8DC
封装/外壳: PowerPAK® SO-8
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：朱先生
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：姚炜
电话：18602210485
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：13148774214
Q Q:
联系人：林
电话：15002093329
Q Q:
