型号:  SIE816DF-T1-E3

功能描述:  Single N-Channel 60 V 7.4 mOhms Surface Mount Power Mosfet - PolarPAK

制造商:  Vishay

系列：  TrenchFET®

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  60A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4.4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  77nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  3100pF @ 30V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  5.2W（Ta），125W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  7.4 毫欧 @ 19.8A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  10-PolarPAK®（L）

封装形式Package：  PolarPAK-10

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  60V

连续漏极电流ID：  19.8A

漏源极导通电阻RDS(ON)：  7.4mOhms

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs