型号: SIE878DF-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 36nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1400pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 12.5V
功率耗散（最大值）： 5.2W（Ta），25W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 5.2 毫欧 @ 20A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 10-PolarPAK®（L）
封装/外壳： 10-PolarPAK®（L）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：宁先生
电话：13142358999
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：雷先生
电话：19230195608
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：13410511380
Q Q:
