型号: SIF912EDZ-T1-E3
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 阵列
系列: TrenchFET®
包装: 带卷(TR)
FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 7.4A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 19 毫欧 @ 7.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 15nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): -
功率 - 最大值: 1.6W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK® 2x5
供应商器件封装: PowerPAK®(2x5)
其它名称: SIF912EDZ-T1-E3TR
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