型号: SIGC39T65E
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳： --
Packing Type： WAFER SAWN
VDS max： 650.0V
Technology： IGBT3
Operating Temperature min max： -40.0°C 175.0°C
VCE(sat) max： 1.77V
IC max： 75.0A
VGE(th) min max： 5.1V 6.4V
RoHS compliant： yes
Packing Type： WAFER SAWN
VDS max： 650.0V
Technology： IGBT3
Operating Temperature min max： -40.0°C 175.0°C
VCE max： 650.0V
VCE(sat) max： 1.77V
IC max： 75.0A
VGE(th) min max： 5.1V 6.4V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：蔡先生
电话：17302646848
Q Q:
联系人：朱芳仪
电话：18123863116
Q Q:
联系人：王先生
电话：13723777571
Q Q:
