型号:  SIHA15N60E-E3

功能描述:  N-Channel 600 V 34 W 38 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP

制造商:  Vishay

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

DraintoSourceVoltage(Vdss)：  600V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  15A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  76nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1350pF @ 100V

Vgs（最大值）：  ±30V

功率耗散（最大值）：  34W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  280 毫欧 @ 8A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO-220-3 整包

封装形式Package：  TO-220-3

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  650V

连续漏极电流ID：  15A

漏源极导通电阻RDS(ON)：  280mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：  4V

Id-连续漏极电流：  15A

Pd-功率耗散：  34W

Qg-栅极电荷：  38nC

Rds On-漏源导通电阻：  280mOhms

Vds-漏源极击穿电压：  650V

Vgs - 栅极-源极电压：  30V

Vgs th-栅源极阈值电压：  4V

上升时间：  51ns

下降时间：  33ns

典型关闭延迟时间：  35ns

典型接通延迟时间：  17ns

安装风格：  ThroughHole

宽度：  4.7mm

封装/外壳：  TO-220FP-3

晶体管极性：  N-Channel

最大工作温度：  +150C

最小工作温度：  -55C

系列：  E

通道数量：  1Channel

通道模式：  Enhancement

配置：  Single

长度：  10.41mm

高度：  15.49mm

无铅情况/RoHs：  否