型号: SIHB24N65E-GE3
功能描述: MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 700 V
Id-连续漏极电流: 24 A
Rds On-漏源导通电阻: 145 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 81 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
系列: E
商标: Vishay / Siliconix
下降时间: 69 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 84 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 24 ns
单位重量: 1.438 g
联系人：Alien
Q Q:
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