型号:  SIHD6N62E-GE3

功能描述:  E Series N Channel 620 V 900 mO 34 nC Surface Mount Power Mosfet - DPAK

制造商:  Vishay

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  620V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  6A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  34nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  578pF @ 100V

Vgs（最大值）：  ±30V

功率耗散（最大值）：  78W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  900 毫欧 @ 3A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

封装形式Package：  TO-252-3

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  700V

连续漏极电流ID：  6A

漏源极导通电阻RDS(ON)：  900mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：  2Vto4V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs