型号: SIHF720L-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
通道类型: N
最大连续漏极电流: 3.3 A
最大漏源电压: 400 V
最大漏源电阻值: 1.8 0hms
最小栅阈值电压: 2V
最大栅源电压: -20 V、+20 V
封装类型: TO-220AB
安装类型: 通孔
晶体管配置: 单
引脚数目: 3
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 50 W
高度: 15.49mm
每片芯片元件数目: 1
尺寸: 10.51 x 4.65 x 15.49mm
最高工作温度: +150 °C
晶体管材料: Si
典型栅极电荷@Vgs: 20 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds: 410 pF @ 25 V
典型关断延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
最低工作温度: -55 °C
长度: 10.51mm
宽度: 4.65mm
无铅情况/RoHs: 否
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：王俊杰
电话：18818598465
Q Q:
联系人：蔡泽锋
电话：13360526935
Q Q:
联系人：麦逸芬
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联系人：杨丹妮
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联系人：柯先生
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联系人：徐
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联系人：孟丽娜
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Q Q:
