型号: SIHF820L-GE3
功能描述: Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF820L-GE3, 2.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商: Vishay
通道类型: N
最大连续漏极电流: 2.5 A
最大漏源电压: 500 V
最大漏源电阻值: 3 0hms
最小栅阈值电压: 2V
最大栅源电压: -20 V、+20 V
封装类型: TO-220AB
安装类型: 通孔
晶体管配置: 单
引脚数目: 3
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 50 W
典型接通延迟时间: 8 ns
典型关断延迟时间: 33 ns
典型输入电容值@Vds: 360 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs: 24 nC @ 10 V
晶体管材料: Si
宽度: 4.65mm
最低工作温度: -55 °C
最高工作温度: +150 °C
长度: 10.51mm
高度: 15.49mm
尺寸: 10.51 x 4.65 x 15.49mm
每片芯片元件数目: 1
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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