型号: SIHF9Z34STRL-GE3
功能描述: Vishay Si P沟道 MOSFET SIHF9Z34STRL-GE3, 13 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
制造商: Vishay
通道类型： P
最大连续漏极电流： 13 A
最大漏源电压： 60 V
最大漏源电阻值： 140 m0hms
最小栅阈值电压： 2V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： D2PAK (TO-263)
安装类型： 表面贴装
晶体管配置： 单
引脚数目： 3
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 88 W
高度： 4.83mm
每片芯片元件数目： 1
尺寸： 10.67 x 9.65 x 4.83mm
最高工作温度： +175 °C
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 34 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 1100 pF @ -25 V
典型关断延迟时间： 20 ns
典型接通延迟时间： 18 ns
最低工作温度： -55 °C
长度： 10.67mm
宽度： 9.65mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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